MDT40P10D
IC
TO-252
可供量大可议
MDT40P10D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-100V 连续漏极电流(Id)：-40A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@-10V, -15A
品牌
minos
封装
TO-252
库存
1,315
货期
现货
MDT40P10D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1315 |
MDT40P10D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-100V 连续漏极电流(Id)：-40A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@-10V, -15A
MDT40P10D特性
暂无产品特性。
MDT40P10D应用领域
暂无应用领域。