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MDT35N06L
IC

TO-252

可供量大可议

MDT35N06L

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):25mΩ@10V, 10A

品牌

minos

封装

TO-252

库存

2,500

货期

现货

MDT35N06L参数

封装TO-252
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2500

MDT35N06L概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):25mΩ@10V, 10A

MDT35N06L特性

暂无产品特性。

MDT35N06L应用领域

暂无应用领域。

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