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MDT30N10L
IC

TO-252

可供量大可议

MDT30N10L

MDT30N10L具有较低的栅极阈值电压, 在小型化、低功耗、高频应用以及低压系统中具有显著优势

品牌

minos

封装

TO-252

库存

2,480

货期

现货

MDT30N10L参数

封装TO-252
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2480

MDT30N10L概述

MDT30N10L具有较低的栅极阈值电压, 在小型化、低功耗、高频应用以及低压系统中具有显著优势

MDT30N10L特性

暂无产品特性。

MDT30N10L应用领域

暂无应用领域。

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