MDT20P10D
IC
TO-252
可供量大可议
MDT20P10D
数量:1个P沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:20A 导通电阻:80mΩ@10V, 10A 描述：适用于电源管理， 电机控制， 逆变器等领域
品牌
minos
封装
TO-252
库存
855
货期
现货
MDT20P10D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 855 |
MDT20P10D概述
数量:1个P沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:20A 导通电阻:80mΩ@10V, 10A 描述：适用于电源管理， 电机控制， 逆变器等领域
MDT20P10D特性
暂无产品特性。
MDT20P10D应用领域
暂无应用领域。