MDT19N10L
IC
TO-252
可供量大可议
MDT19N10L
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：80mΩ@10V, 5A
品牌
minos
封装
TO-252
库存
2,410
货期
现货
MDT19N10L参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2410 |
MDT19N10L概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：80mΩ@10V, 5A
MDT19N10L特性
暂无产品特性。
MDT19N10L应用领域
暂无应用领域。