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MDT18N10D
IC

TO-252

可供量大可议

MDT18N10D

MDT18N10D采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用场景。

品牌

minos

封装

TO-252

库存

2,485

货期

现货

MDT18N10D参数

封装TO-252
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2485

MDT18N10D概述

MDT18N10D采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用场景。

MDT18N10D特性

暂无产品特性。

MDT18N10D应用领域

暂无应用领域。

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