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MDT15P10D
IC

TO-252

可供量大可议

MDT15P10D

数量:1个P沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:15A 导通电阻:90mΩ@10V, 15A

品牌

minos

封装

TO-252

库存

2,120

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

MDT15P10D参数

封装TO-252
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2120

MDT15P10D概述

数量:1个P沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:15A 导通电阻:90mΩ@10V, 15A

MDT15P10D特性

暂无产品特性。

MDT15P10D应用领域

暂无应用领域。

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