MDFN2C051V
IC
DFN1006-2
可供量大可议
MDFN2C051V
特性：超小封装：1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容：15 pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5 V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 个人数字助理
Brand
Leiditech
Package
DFN1006-2
Stock
50
货期
现货
MDFN2C051VParameters
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MDFN2C051V概述
特性：超小封装：1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容：15 pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5 V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 个人数字助理
MDFN2C051V特性
暂无产品特性。
MDFN2C051V应用领域
暂无应用领域。