MDDG10R08D
IC
TO-252
可供量大可议
MDDG10R08D
这款N沟道MV MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造， 该工艺融合了屏蔽栅技术。 此工艺经过优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时凭借一流的软体二极管保持出色的开关性能。
品牌
MDD
封装
TO-252
库存
1,720
货期
现货
MDDG10R08D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1720 |
MDDG10R08D概述
这款N沟道MV MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造， 该工艺融合了屏蔽栅技术。 此工艺经过优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时凭借一流的软体二极管保持出色的开关性能。
MDDG10R08D特性
暂无产品特性。
MDDG10R08D应用领域
暂无应用领域。