MDD7N65F
自营可供
IC
TO-220F
MDD7N65F
应用：适配器， 充电器、LED驱动、PFC电路
品牌
MDD
封装
TO-220F
交期
现货
批次
—
MDD7N65F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:7A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | MDD7N65F |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00256 |
MDD7N65F概述
应用：适配器， 充电器、LED驱动、PFC电路
MDD7N65F特性
- 超低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关能力-雪崩能量测试-改善的 dv/dt 能力, 高耐用性
MDD7N65F应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-LED 电源