MDD60N04D
IC
TO-252
可供量大可议
MDD60N04D
此N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术生产。 该工艺经过优化， 可最大限度地降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
品牌
MDD
封装
TO-252
库存
2,620
货期
现货
MDD60N04D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MDD(辰达半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2620 |
MDD60N04D概述
此N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术生产。 该工艺经过优化， 可最大限度地降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
MDD60N04D特性
暂无产品特性。
MDD60N04D应用领域
暂无应用领域。