MDD1951RH-HXY

MDD1951RH N沟道MOS管采用坚固耐用的TO-252-2L封装形式， 专为高功率应用设计。 该器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)以及卓越的15A连续漏极电流(ID)， 性能强劲稳定。 其导通电阻低至38mΩ， 有助于减少能量损耗并提高整体系统效能。 本产品广泛应用于开关电源、马达驱动等领域， 是高端电子设备中不可或缺的高性能MOS管组件。