MDD1902RH-VB
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IC
TO-252
MDD1902RH-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 40A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
Brand
VBsemi
Package
TO-252
交期
现货
Date Code
—
MDD1902RH-VBParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:40A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
| 商品型号 | MDD1902RH-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000385 |
MDD1902RH-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 40A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
MDD1902RH-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 符合RoHS标准