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MDD1754RH-VB
IC

TO-252

可供量大可议

MDD1754RH-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。 TO252; N—Channel沟道, 40V; 55A; RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

2

货期

现货

MDD1754RH-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

MDD1754RH-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。 TO252; N—Channel沟道, 40V; 55A; RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

MDD1754RH-VB特性

暂无产品特性。

MDD1754RH-VB应用领域

暂无应用领域。

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