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MD59N30
IC

TO-3P

可供量大可议

MD59N30

数量:1个N沟道 漏源电压:300V 连续漏极电流:59A 导通电阻:35mΩ@10V, 29.5A

品牌

minos

封装

TO-3P

库存

444

货期

现货

MD59N30参数

封装TO-3P
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存444

MD59N30概述

数量:1个N沟道 漏源电压:300V 连续漏极电流:59A 导通电阻:35mΩ@10V, 29.5A

MD59N30特性

暂无产品特性。

MD59N30应用领域

暂无应用领域。

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