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MD20N50H
IC

TO-3PN

可供量大可议

MD20N50H

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.23Ω@10V, 10A

品牌

minos

封装

TO-3PN

库存

260

货期

现货

MD20N50H参数

封装TO-3PN
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存260

MD20N50H概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.23Ω@10V, 10A

MD20N50H特性

暂无产品特性。

MD20N50H应用领域

暂无应用领域。

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