MCU655N65FH-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MCU655N65FH-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 同时具备良好的热稳定性。 适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
10
货期
现货
MCU655N65FH-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
MCU655N65FH-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 同时具备良好的热稳定性。 适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。
MCU655N65FH-HXY特性
暂无产品特性。
MCU655N65FH-HXY应用领域
暂无应用领域。