MCT08P10Y-TP-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
MCT08P10Y-TP-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； P—Channel沟道； -100V； -3A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
2
货期
现货
MCT08P10Y-TP-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
MCT08P10Y-TP-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； P—Channel沟道； -100V； -3A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
MCT08P10Y-TP-VB特性
暂无产品特性。
MCT08P10Y-TP-VB应用领域
暂无应用领域。