MCR100-8WMX-HXY
IC
SOT-223
可供量大可议
MCR100-8WMX-HXY
该器件为单体单向可控硅模块, 通态平均电流(It)为0.8A, 断态重复峰值电压(VDRM)高达800V, 适用于中高电压直流或半波交流控制应用。 内部集成一个单向可控硅结构, 仅允许电流单向导通, 通过门极信号实现精确触发控制。 具备良好的电压阻断能力和热稳定性, 常用于电源开关、充电电路、照明驱动、小型电机控制及家用电子设备中的功率调节电路。 适合在空间受限且对电压裕量要求较高的场景中使用, 满足多种低功率电气控制需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-223
库存
150
货期
现货
MCR100-8WMX-HXY参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 晶闸管(可控硅)/模块 |
|---|---|
| 库存 | 150 |
MCR100-8WMX-HXY概述
该器件为单体单向可控硅模块, 通态平均电流(It)为0.8A, 断态重复峰值电压(VDRM)高达800V, 适用于中高电压直流或半波交流控制应用。 内部集成一个单向可控硅结构, 仅允许电流单向导通, 通过门极信号实现精确触发控制。 具备良好的电压阻断能力和热稳定性, 常用于电源开关、充电电路、照明驱动、小型电机控制及家用电子设备中的功率调节电路。 适合在空间受限且对电压裕量要求较高的场景中使用, 满足多种低功率电气控制需求。
MCR100-8WMX-HXY特性
暂无产品特性。
MCR100-8WMX-HXY应用领域
暂无应用领域。
