MCP6567T-E/SN
自营可供
IC
SOIC-8
MCP6567T-E/SN
比较器 66dB 5mV 10mV 1pA
品牌
MICROCHIP
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
23+
MCP6567T-E/SN参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| 批次 | 23+ |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV |
| 传播延迟(tpd) | 56ns |
| 共模抑制比(CMRR) | 66dB |
| 输出模式 | CMOS |
| 静态电流(Iq) | 100uA |
| 单电源 | 1.8V~5.5V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 3,300 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA |
| 滞后电压(Vhys) | 1mV |
| 输出类型 | 开漏 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 功能特性 | 内置迟滞 |
MCP6567T-E/SN概述
比较器 66dB 5mV 10mV 1pA
MCP6567T-E/SN特性
- 输入失调电压 (Vos)：典型 3 mV， 提供较高的精度基线。
- 输入失调电压温漂 (Vos TC)：2 μV/℃， 长期漂移小， 适合精密检测。
- 输入偏置/失调电流 (Ib / Ios)：约 1 pA， 极低漏电流， 适合高阻抗传感器接口。
- 共模抑制比 (CMRR)：66 dB， 能有效抑制共模干扰。
- 滞后电压 (Vhys)：1 mV， 滞后小， 适合精细阈值检测但可能需防抖处理。
- 传播延迟 (tpd)：约 56 ns， 满足中高速脉冲检测需求。
- 静态电流 (Iq)：约 100 μA， 适合低功耗应用。
- 输出类型：开漏（需外部上拉）
- 采用 CMOS 工艺实现低功耗与良好驱动能力。
- 轨到轨输入：输入范围靠近电源轨， 支持更大动态输入范围。
- 单电源工作， 1.8V 至 5.5V， 适配多种系统电压。
MCP6567T-E/SN应用领域
- 电池电压监测与低电压检测
- 传感器信号调理（高阻抗传感器接口）
- 模拟门限检测、脉冲成形与过零检测
- 低功耗便携设备的阈值比较与唤醒电路
- 总结：MCP6567T-E/SN 在低功耗、低偏置电流与较低失调电压上具有明显优势， 配合宽电源电压与轨到轨输入特性， 适合需要高输入阻抗与稳定阈值检测的广泛嵌入式与工业应用。 在电路实现时， 注意开漏输出的上拉设计与输入端的抗噪与防泄漏处理， 以发挥器件的最佳性能。