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MCP6562T-E/SN
IC

8-SOIC

可供量大可议

MCP6562T-E/SN

比较器 66dB 5mV 10mV 1pA SOIC-8

品牌

MICROCHIP

封装

8-SOIC

库存

9

货期

现货

MCP6562T-E/SN参数

封装8-SOIC
品牌MICROCHIP(美国微芯)
批次25+
比较器数双路
输入偏置电流(Ib)1pA
滞后电压(Vhys)5mV
输出类型推挽
轨到轨轨到轨输入, 轨到轨输出
工作温度-40℃~+125℃
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
功能特性内置迟滞
分类比较器
库存9
MOQ / SPQ1 / 1
输入失调电压(Vos)3mV
传播延迟(tpd)50ns
共模抑制比(CMRR)66dB
输出模式TTL; CMOS
静态电流(Iq)100uA
单电源1.8V~5.5V
输入失调电流(Ios)1pA

MCP6562T-E/SN概述

比较器 66dB 5mV 10mV 1pA SOIC-8

MCP6562T-E/SN特性

暂无产品特性。

MCP6562T-E/SN应用领域

暂无应用领域。

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