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MCM3400A-TP
IC

DFN2020-6L

可供量大可议

MCM3400A-TP

特性:沟槽低压MOSFET技术。 采用高密单元设计, 实现极低的导通电阻RDS(ON)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准

品牌

MCC

封装

DFN2020-6L

库存

2,460

货期

现货

MCM3400A-TP参数

封装DFN2020-6L
品牌MCC(美微科)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)1.4W
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
反向传输电容(Crss)50pF
输出电容(Coss)58pF
分类场效应管(MOSFET)
库存2460
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))38mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)645pF
工作温度-55℃~+150℃

MCM3400A-TP概述

MOSFET-阵列-2-个-N-沟道-30V-5A-1.4W-表面贴装型-DFN2020-6L

MCM3400A-TP特性

暂无产品特性。

MCM3400A-TP应用领域

暂无应用领域。

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