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MCG60N06YHE3-TP
IC

DFN-8(3.3x3.3)

可供量大可议

MCG60N06YHE3-TP

特性:AEC-Q101 合格。 分裂栅沟槽 MOSFET 技术。 高密度单元设计, 实现超低 RDS(on)。 湿度敏感度等级 3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅表面处理/RoHS 合规

品牌

MCC

封装

DFN-8(3.3x3.3)

库存

2,043

货期

现货

MCG60N06YHE3-TP参数

封装DFN-8(3.3x3.3)
品牌MCC(美微科)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2043

MCG60N06YHE3-TP概述

特性:AEC-Q101 合格。 分裂栅沟槽 MOSFET 技术。 高密度单元设计, 实现超低 RDS(on)。 湿度敏感度等级 3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅表面处理/RoHS 合规

MCG60N06YHE3-TP特性

暂无产品特性。

MCG60N06YHE3-TP应用领域

暂无应用领域。

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