MCG55P02A-TP
IC
DFN-8-EP(3.3x3.3)
可供量大可议
MCG55P02A-TP
特性：沟槽功率低压MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
品牌
MCC
封装
DFN-8-EP(3.3x3.3)
库存
3,920
货期
现货
MCG55P02A-TP参数
| 封装 | DFN-8-EP(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | MCC(美微科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3920 |
MCG55P02A-TP概述
特性：沟槽功率低压MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
MCG55P02A-TP特性
暂无产品特性。
MCG55P02A-TP应用领域
暂无应用领域。