MCG53N06AHE3-TP
IC
DFN3333
可供量大可议
MCG53N06AHE3-TP
特性：AEC-Q101合格。 分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低Rps(ON)的高密度单元设计。 湿度敏感度等级3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准
品牌
MCC
封装
DFN3333
库存
2,713
货期
现货
MCG53N06AHE3-TP参数
| 封装 | DFN3333 |
|---|---|
| 品牌 | MCC(美微科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2713 |
MCG53N06AHE3-TP概述
特性：AEC-Q101合格。 分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低Rps(ON)的高密度单元设计。 湿度敏感度等级3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准
MCG53N06AHE3-TP特性
暂无产品特性。
MCG53N06AHE3-TP应用领域
暂无应用领域。