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MCG30P03-TP
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IC

DFN3333-8

MCG30P03-TP

特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高密度单元设计, 实现低导通电阻RDS(on)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准

品牌

MCC

封装

DFN3333-8

交期

现货

批次

—

MCG30P03-TP参数

封装DFN3333-8
品牌MCC(美微科)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)32W
输入电容(Ciss)2.45nF
工作温度-55℃~+150℃
商品型号MCG30P03-TP
单位个
商品重量0.00012916
分类场效应管(MOSFET)
库存4665
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))13mΩ@20V
阈值电压(Vgs(th))2.8V
反向传输电容(Crss)274pF
商品名称1个P沟道 耐压:30V 电流:19A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

MCG30P03-TP概述

特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高密度单元设计, 实现低导通电阻RDS(on)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准

MCG30P03-TP特性

  • 沟槽功率低压MOSFET技术
  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 湿度敏感度等级1级
  • 无卤素, “绿色”器件
  • 环氧树脂符合UL 94 V
  • 0阻燃等级
  • 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)

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