MCF450N120S2E3
IC
E3
可供量大可议
MCF450N120S2E3
模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止（FS）IGBT技术， 具有极低的集电极-发射极饱和电压， 易于在驱动器和逆变器中使用。
品牌
CJ
封装
E3
库存
2
货期
现货
MCF450N120S2E3参数
| 封装 | E3 |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
MCF450N120S2E3概述
模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止（FS）IGBT技术， 具有极低的集电极-发射极饱和电压， 易于在驱动器和逆变器中使用。
MCF450N120S2E3特性
暂无产品特性。
MCF450N120S2E3应用领域
暂无应用领域。