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MC33364DR2G
IC

SOIC-16

可供量大可议

MC33364DR2G

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案, 集成了高压启动和保护电路, 可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。 不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。 该器件系列集成了700 V超高压(VHV)启动电路。 因此, 无需任何额外的启动电路或组件, 即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。 临界导通特性具有诸多优势。 首先, MOSFET在零电流时导通, 二极管在零电流时关断。 零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。 它还能降低开关电源(SMPS)的电磁干扰(EMI), 并可使用成本较低的整流器。 其次, 通过防止开关电源进入不连续导通模式(DCM), MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。 这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。 第三, 通过防止开关电源进入连续导通模式(CCM), 反激式拓扑传递函数保持为一阶, 其反馈补偿网络得到显著简化。 它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

品牌

onsemi

封装

SOIC-16

库存

2,195

货期

现货

MC33364DR2G参数

封装SOIC-16
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类AC-DC控制器和稳压器
库存2195

MC33364DR2G概述

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案, 集成了高压启动和保护电路, 可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。 不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。 该器件系列集成了700 V超高压(VHV)启动电路。 因此, 无需任何额外的启动电路或组件, 即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。 临界导通特性具有诸多优势。 首先, MOSFET在零电流时导通, 二极管在零电流时关断。 零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。 它还能降低开关电源(SMPS)的电磁干扰(EMI), 并可使用成本较低的整流器。 其次, 通过防止开关电源进入不连续导通模式(DCM), MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。 这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。 第三, 通过防止开关电源进入连续导通模式(CCM), 反激式拓扑传递函数保持为一阶, 其反馈补偿网络得到显著简化。 它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

MC33364DR2G特性

暂无产品特性。

MC33364DR2G应用领域

暂无应用领域。

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