MC33171DR2G
IC
SO-8
可供量大可议
MC33171DR2G
单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。 这些器件每个放大器的工作电流为180 A, 无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。 虽然该系列可以采用双电源供电, 但由于共模输入电压包含地电位(VEE), 因此尤其适合单电源供电。 这些器件采用达林顿输入级, 具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。 全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
1,630
货期
现货
MC33171DR2G参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 1630 |
MC33171DR2G概述
单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。 这些器件每个放大器的工作电流为180 A, 无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。 虽然该系列可以采用双电源供电, 但由于共模输入电压包含地电位(VEE), 因此尤其适合单电源供电。 这些器件采用达林顿输入级, 具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。 全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。
MC33171DR2G特性
暂无产品特性。
MC33171DR2G应用领域
暂无应用领域。
