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MC33153DR2G
IC

SOIC-8

可供量大可议

MC33153DR2G

栅极驱动芯片 MC33153DR2G SOIC-8

品牌

ON

封装

SOIC-8

库存

402

货期

现货

MC33153DR2G参数

封装SOIC-8
品牌ON(安森美)
批次26+
驱动配置高边
驱动通道数1
拉电流(IOH)1A
上升时间(tr)17ns
传播延迟 tpLH80ns
特性欠压保护(UVP); 过流保护(OCP); 短路保护(SCP)
输入高电平(VIH)2.7V
功能特性过流保护
分类栅极驱动芯片
库存402
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT
灌电流(IOL)2A
工作电压11.3V~12.6V
下降时间(tf)17ns
传播延迟 tpHL120ns
工作温度-40℃~+105℃
静态电流(Iq)7.2mA

MC33153DR2G概述

栅极驱动芯片 MC33153DR2G SOIC-8

MC33153DR2G特性

暂无产品特性。

MC33153DR2G应用领域

暂无应用领域。

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