MC14106BDG

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。 主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。 可代替MC14069UB六反相器以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行整形。 该器件包含保护电路， 可防止因高静态电压或电场造成的损坏。 为使器件正常工作， Vin和Vout应限制在VSS ≤ (Vin或Vout) ≤ VDD的范围内。 未使用的输入必须始终连接到适当的逻辑电压电平（例如， VSS或VDD）， 未使用的输出必须保持开路。