MC14015BDG

MC14015B 在单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。 它由两个相同的独立 4 状态串行输入/并行输出寄存器组成。 每个寄存器都有独立的时钟和重置输入， 以及单个串行数据输入。 寄存器状态为 D 型主从触发器。 在正向时钟转换期间， 数据从一级转移到下一级。 在重置线上施加高电平时， 可清除每个寄存器。 这些互补 MOS 移位寄存器主要用于需要低功耗和/或抗扰度的缓冲器存储和串并转换。