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MC14008BDR2G
IC

SOIC-16

可供量大可议

MC14008BDR2G

MC14008B 4 位全加器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。 此器件包括四个全加器, 带有快速内部先行进位输出。 它用于二进制加法和其他算术应用。 快速并行进位输出位与系统中的其他加法器一起使用时, 可实现高速运算。

品牌

onsemi

封装

SOIC-16

库存

9

货期

现货

MC14008BDR2G参数

封装SOIC-16
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类特殊逻辑IC
库存9

MC14008BDR2G概述

MC14008B 4 位全加器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。 此器件包括四个全加器, 带有快速内部先行进位输出。 它用于二进制加法和其他算术应用。 快速并行进位输出位与系统中的其他加法器一起使用时, 可实现高速运算。

MC14008BDR2G特性

暂无产品特性。

MC14008BDR2G应用领域

暂无应用领域。

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