MC14008BDR2G
IC
SOIC-16
可供量大可议
MC14008BDR2G
MC14008B 4 位全加器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。 此器件包括四个全加器, 带有快速内部先行进位输出。 它用于二进制加法和其他算术应用。 快速并行进位输出位与系统中的其他加法器一起使用时, 可实现高速运算。
品牌
onsemi
封装
SOIC-16
库存
9
货期
现货
MC14008BDR2G参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 特殊逻辑IC |
|---|---|
| 库存 | 9 |
MC14008BDR2G概述
MC14008B 4 位全加器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。 此器件包括四个全加器, 带有快速内部先行进位输出。 它用于二进制加法和其他算术应用。 快速并行进位输出位与系统中的其他加法器一起使用时, 可实现高速运算。
MC14008BDR2G特性
暂无产品特性。
MC14008BDR2G应用领域
暂无应用领域。
