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MC12080DR2G
IC

SOIC-8

可供量大可议

MC12080DR2G

MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模, 用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。 分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。 需要外部负载电阻来端接输出。 假设负载为 8.0 pF, 如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频, 则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。 输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。 负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。

品牌

onsemi

封装

SOIC-8

库存

1,441

货期

现货

MC12080DR2G参数

封装SOIC-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类时钟发生器/频率合成器/PLL
库存1441

MC12080DR2G概述

MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模, 用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。 分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。 需要外部负载电阻来端接输出。 假设负载为 8.0 pF, 如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频, 则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。 输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。 负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。

MC12080DR2G特性

暂无产品特性。

MC12080DR2G应用领域

暂无应用领域。

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