MC12080DR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
MC12080DR2G
MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模, 用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。 分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。 需要外部负载电阻来端接输出。 假设负载为 8.0 pF, 如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频, 则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。 输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。 负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
1,441
货期
现货
MC12080DR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 时钟发生器/频率合成器/PLL |
|---|---|
| 库存 | 1441 |
MC12080DR2G概述
MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模, 用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。 分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。 需要外部负载电阻来端接输出。 假设负载为 8.0 pF, 如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频, 则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。 输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。 负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。
MC12080DR2G特性
暂无产品特性。
MC12080DR2G应用领域
暂无应用领域。
