MC100LVEL11DR2G
自营可供
IC
SOIC-8
MC100LVEL11DR2G
MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。 此器件的功能与器件 E111 相似， 但其性能更高。 与 E111 相比， LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进， 非常适合需要最高交流性能的应用。 LVEL11 的差分输入采用箝位电路， 从而在开路输入条件下保持稳定。 如果输入为开路（拉至 VEE）， 则 Q 输出将变为低电平。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
—
MC100LVEL11DR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入通道数 | 1 |
| 工作电压 | 3V~3.8V |
| 功能特性 | 内部终端与偏置网络； 多路扇出/隔离驱动 |
| 商品型号 | MC100LVEL11DR2G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000310526 |
| 分类 | 时钟缓冲器/驱动器/分配器 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
| 最大输出频率 | 1GHz |
| 输出通道数 | 2 |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
| 商品名称 | MC100LVEL11DR2G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 时钟缓冲器/驱动器/分配器 |
MC100LVEL11DR2G概述
MC100LVEL11是一款差分1:2扇出缓冲器。 该器件在功能上与E111器件相似， 但具有更高的性能。 与E111相比， 其器件内部偏斜和输出转换时间显著改善， LVEL11非常适合那些对交流性能有极致要求的应用。 LVEL11的差分输入采用钳位电路， 以在输入开路条件下保持稳定性。 如果输入开路（拉至VEE）， Q输出将变为低电平。
MC100LVEL11DR2G特性
- 传播延迟330 ps
- 输出间偏斜5 ps
- 高带宽输出转换
- 100系列具备温度补偿
- PECL模式工作范围：VCC = 3.0 V至3.8 V， VEE = 0 V
- NECL模式工作范围：VCC = 0 V， VEE = -3.0 V至 -3.8 V
- D端有内部输入下拉电阻， D端有上拉和下拉电阻
- 输入开路或处于VEE时， Q输出默认低电平
- 这些器件无铅且符合RoHS标准