MC100EPT21DR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
MC100EPT21DR2G
因为使用LVPECL（正ECL）、LVDS和正CML输入电平以及LVTTL/LVCMOS输出电平， 所以只需要4.3.3V和地。 小外形8引脚SOIC封装使EPT21非常适合需要转换时钟或数据信号的应用。 VBB输出允许该EPT21在单端或差分输入模式下进行电容耦合。 单端电容耦合时， VBB输出连接到D(overline)输入， D输入驱动以实现同相缓冲器； 或者VBB输出连接到D输入， D(overline)输入驱动以实现反相缓冲器
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
5
货期
现货
MC100EPT21DR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 转换器/电平移位器 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
MC100EPT21DR2G概述
因为使用LVPECL（正ECL）、LVDS和正CML输入电平以及LVTTL/LVCMOS输出电平， 所以只需要4.3.3V和地。 小外形8引脚SOIC封装使EPT21非常适合需要转换时钟或数据信号的应用。 VBB输出允许该EPT21在单端或差分输入模式下进行电容耦合。 单端电容耦合时， VBB输出连接到D(overline)输入， D输入驱动以实现同相缓冲器； 或者VBB输出连接到D输入， D(overline)输入驱动以实现反相缓冲器
MC100EPT21DR2G特性
暂无产品特性。
MC100EPT21DR2G应用领域
暂无应用领域。