MBT3906DW1T1G-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
MBT3906DW1T1G-HXY
这款双PNP型三极管(BJT)组件, 每支三极管的集电极电流IC为0.2A, 适用于低电流需求的电路设计。 最大集电极-发射极电压VCEO达到40V, 提供了良好的电压耐受性。 直流电流增益HFE在100至300之间, 确保了信号放大时的高效性能。 特征频率FT为250MHz, 使得它在高频操作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性。 此组件非常适合于需要高灵敏度和快速响应的电子系统中, 如音频处理和精密信号放大应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
130
货期
现货
MBT3906DW1T1G-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
MBT3906DW1T1G-HXY概述
这款双PNP型三极管(BJT)组件, 每支三极管的集电极电流IC为0.2A, 适用于低电流需求的电路设计。 最大集电极-发射极电压VCEO达到40V, 提供了良好的电压耐受性。 直流电流增益HFE在100至300之间, 确保了信号放大时的高效性能。 特征频率FT为250MHz, 使得它在高频操作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性。 此组件非常适合于需要高灵敏度和快速响应的电子系统中, 如音频处理和精密信号放大应用。
MBT3906DW1T1G-HXY特性
暂无产品特性。
MBT3906DW1T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
