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MBT3904DW1T1G-HXY
IC

SOT-363

可供量大可议

MBT3904DW1T1G-HXY

此款NPN+NPN双三极管(BJT)组件, 专为高效能电路设计, 具备集电极电流IC达0.2A, 集电极-发射极电压VCEO高达40V, 确保在多种环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围在100至300之间, 适用于需要高灵敏度和精确控制的场合。 特征频率FT达到300MHz, 使其在高频应用中表现出色。 该组件特别适合应用于无线通信设备、音频处理及各类消费电子产品中, 能够显著提升产品的性能表现与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

320

货期

现货

MBT3904DW1T1G-HXY参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存320

MBT3904DW1T1G-HXY概述

此款NPN+NPN双三极管(BJT)组件, 专为高效能电路设计, 具备集电极电流IC达0.2A, 集电极-发射极电压VCEO高达40V, 确保在多种环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围在100至300之间, 适用于需要高灵敏度和精确控制的场合。 特征频率FT达到300MHz, 使其在高频应用中表现出色。 该组件特别适合应用于无线通信设备、音频处理及各类消费电子产品中, 能够显著提升产品的性能表现与可靠性。

MBT3904DW1T1G-HXY特性

暂无产品特性。

MBT3904DW1T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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