MBT3904DW1T1G-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
MBT3904DW1T1G-HXY
此款NPN+NPN双三极管(BJT)组件, 专为高效能电路设计, 具备集电极电流IC达0.2A, 集电极-发射极电压VCEO高达40V, 确保在多种环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围在100至300之间, 适用于需要高灵敏度和精确控制的场合。 特征频率FT达到300MHz, 使其在高频应用中表现出色。 该组件特别适合应用于无线通信设备、音频处理及各类消费电子产品中, 能够显著提升产品的性能表现与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
320
货期
现货
MBT3904DW1T1G-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 320 |
MBT3904DW1T1G-HXY概述
此款NPN+NPN双三极管(BJT)组件, 专为高效能电路设计, 具备集电极电流IC达0.2A, 集电极-发射极电压VCEO高达40V, 确保在多种环境下的稳定操作。 其直流电流增益HFE范围在100至300之间, 适用于需要高灵敏度和精确控制的场合。 特征频率FT达到300MHz, 使其在高频应用中表现出色。 该组件特别适合应用于无线通信设备、音频处理及各类消费电子产品中, 能够显著提升产品的性能表现与可靠性。
MBT3904DW1T1G-HXY特性
暂无产品特性。
MBT3904DW1T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
