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MBRS540T3G-HXY
IC

SMC

可供量大可议

MBRS540T3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

40

货期

现货

MBRS540T3G-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

MBRS540T3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。

MBRS540T3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBRS540T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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