MBRS540T3G-HXY
IC
SMC
可供量大可议
MBRS540T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
40
货期
现货
MBRS540T3G-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
MBRS540T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和动态响应要求较高的整流、续流及电源转换等电路场合。
MBRS540T3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRS540T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
