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MBRS4201T3G-HXY
IC

SMC

可供量大可议

MBRS4201T3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持相对较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性与瞬态耐受能力有要求的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

80

货期

现货

MBRS4201T3G-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存80

MBRS4201T3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持相对较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性与瞬态耐受能力有要求的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变等电路场合。

MBRS4201T3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBRS4201T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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