MBRS4201T3G-HXY
IC
SMC
可供量大可议
MBRS4201T3G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持相对较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性与瞬态耐受能力有要求的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
80
货期
现货
MBRS4201T3G-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
MBRS4201T3G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持相对较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性与瞬态耐受能力有要求的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变等电路场合。
MBRS4201T3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRS4201T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
