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MBRS2H100T3G-HXY
IC

SMB

可供量大可议

MBRS2H100T3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在最大反向电压条件下, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

30

货期

现货

MBRS2H100T3G-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存30

MBRS2H100T3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在最大反向电压条件下, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。

MBRS2H100T3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBRS2H100T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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