MBRS2H100T3G-HXY
IC
SMB
可供量大可议
MBRS2H100T3G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在最大反向电压条件下, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
30
货期
现货
MBRS2H100T3G-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MBRS2H100T3G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在最大反向电压条件下, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有要求的整流、极性保护及高频开关类电路。
MBRS2H100T3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRS2H100T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
