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MBRP3045NTU-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBRP3045NTU-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场景, 具备低损耗与高可靠性的特点。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

3

货期

现货

MBRP3045NTU-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存3

MBRP3045NTU-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场景, 具备低损耗与高可靠性的特点。

MBRP3045NTU-HXY特性

暂无产品特性。

MBRP3045NTU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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