MBRP3045NTU-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBRP3045NTU-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场景, 具备低损耗与高可靠性的特点。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
3
货期
现货
MBRP3045NTU-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
MBRP3045NTU-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等场景, 具备低损耗与高可靠性的特点。
MBRP3045NTU-HXY特性
暂无产品特性。
MBRP3045NTU-HXY应用领域
暂无应用领域。
