MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为45V, 正向压降VF低至0.65V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR控制在100μA以内, 具备良好的阻断特性。 其峰值正向浪涌电流IFSM达200A, 适用于高效率电源整流、低压大电流输出的开关电源、电池供电系统及各类高频电力转换电路, 能够有效提升整体能效与运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为45V, 正向压降VF低至0.65V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR控制在100μA以内, 具备良好的阻断特性。 其峰值正向浪涌电流IFSM达200A, 适用于高效率电源整流、低压大电流输出的开关电源、电池供电系统及各类高频电力转换电路, 能够有效提升整体能效与运行稳定性。
MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY特性
暂无产品特性。
MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY应用领域
暂无应用领域。
