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MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为45V, 正向压降VF低至0.65V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR控制在100μA以内, 具备良好的阻断特性。 其峰值正向浪涌电流IFSM达200A, 适用于高效率电源整流、低压大电流输出的开关电源、电池供电系统及各类高频电力转换电路, 能够有效提升整体能效与运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为45V, 正向压降VF低至0.65V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR控制在100μA以内, 具备良好的阻断特性。 其峰值正向浪涌电流IFSM达200A, 适用于高效率电源整流、低压大电流输出的开关电源、电池供电系统及各类高频电力转换电路, 能够有效提升整体能效与运行稳定性。

MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY特性

暂无产品特性。

MBRF30H45CTHE3_A/P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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