MBRF30H100CTG-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBRF30H100CTG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在保证较高耐压的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双路同步续流功能的电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
MBRF30H100CTG-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
MBRF30H100CTG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在保证较高耐压的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双路同步续流功能的电路拓扑中。
MBRF30H100CTG-HXY特性
暂无产品特性。
MBRF30H100CTG-HXY应用领域
暂无应用领域。
