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MBRF30H100CTG-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBRF30H100CTG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在保证较高耐压的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双路同步续流功能的电路拓扑中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

MBRF30H100CTG-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

MBRF30H100CTG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在保证较高耐压的同时维持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双路同步续流功能的电路拓扑中。

MBRF30H100CTG-HXY特性

暂无产品特性。

MBRF30H100CTG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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