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MBRF2545CTG-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBRF2545CTG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.65V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于电源转换、开关模式电源及各类高频电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

98

货期

现货

MBRF2545CTG-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存98

MBRF2545CTG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.65V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于电源转换、开关模式电源及各类高频电路中。

MBRF2545CTG-HXY特性

暂无产品特性。

MBRF2545CTG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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