MBRF2545CTG-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBRF2545CTG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.65V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于电源转换、开关模式电源及各类高频电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
98
货期
现货
MBRF2545CTG-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 98 |
MBRF2545CTG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降低至0.65V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于电源转换、开关模式电源及各类高频电路中。
MBRF2545CTG-HXY特性
暂无产品特性。
MBRF2545CTG-HXY应用领域
暂无应用领域。
