MBRF2090CT-M3/4W-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBRF2090CT-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压为100V。 其正向压降低至0.85V, 有助于减少导通损耗, 提升能效; 在100V反向电压下漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及各类高效能电源转换电路, 在注重效率与热管理的设计中具有实用价值。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
MBRF2090CT-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
MBRF2090CT-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压为100V。 其正向压降低至0.85V, 有助于减少导通损耗, 提升能效; 在100V反向电压下漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级及各类高效能电源转换电路, 在注重效率与热管理的设计中具有实用价值。
MBRF2090CT-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
MBRF2090CT-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
