MBRD1045T4G-FS
IC
TO-252
可供量大可议
MBRD1045T4G-FS
特性：批量工艺设计， 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗， 高效率。 高电流能力， 低正向压降。 高浪涌能力。 过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片， 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准
品牌
FUXINSEMI
封装
TO-252
库存
7,533
货期
现货
MBRD1045T4G-FS参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 7533 |
MBRD1045T4G-FS概述
特性：批量工艺设计， 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗， 高效率。 高电流能力， 低正向压降。 高浪涌能力。 过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片， 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准
MBRD1045T4G-FS特性
暂无产品特性。
MBRD1045T4G-FS应用领域
暂无应用领域。