MBRD1035CTLT4G

采用肖特基势垒原理， 应用于大面积金属-硅功率二极管。 先进的几何结构采用外延结构， 具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。 非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。