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MBRB8H100T4G
IC

TO-263-2

可供量大可议

MBRB8H100T4G

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

品牌

onsemi

封装

TO-263-2

库存

145

货期

现货

MBRB8H100T4G参数

封装TO-263-2
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存145

MBRB8H100T4G概述

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

MBRB8H100T4G特性

暂无产品特性。

MBRB8H100T4G应用领域

暂无应用领域。

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