MBRB8H100T4G
IC
TO-263-2
可供量大可议
MBRB8H100T4G
该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。
品牌
onsemi
封装
TO-263-2
库存
145
货期
现货
MBRB8H100T4G参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 145 |
MBRB8H100T4G概述
该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。
MBRB8H100T4G特性
暂无产品特性。
MBRB8H100T4G应用领域
暂无应用领域。
