MBRB10100-M3/8W
IC
TO-263AB(D2PAK)
可供量大可议
MBRB10100-M3/8W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 高频操作。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为245℃。 应用：开关电源的高频整流器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-263AB(D2PAK)
库存
22
货期
现货
MBRB10100-M3/8W参数
| 封装 | TO-263AB(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
MBRB10100-M3/8W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 高频操作。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为245℃。 应用：开关电源的高频整流器。 续流二极管
MBRB10100-M3/8W特性
暂无产品特性。
MBRB10100-M3/8W应用领域
暂无应用领域。